如言

他就是一個開關，非通即斷，如何控制他的通還是斷，就是靠的是柵源極的電壓，當柵源極加+12V（大于6V，一般取12V到15V）時IGBT導通，柵源極不加電壓或者是加負壓時，IGBT關斷，加負壓就是為了可靠關斷。

他沒有放大電壓的功能，導通時可以看做導線，斷開時當做開路。

IGBT有三個端子，分別是G，D，S，在G和S兩端加上電壓后，內部的電子發(fā)生轉移（半導體材料的特點，這也是為什么用半導體材料做電力電子開關的原因），本來是正離子和負離子一一對應，半導體材料呈中性，但是加上電壓后，電子在電壓的作用下，累積到一邊，形成了一層導電溝道，因為電子是可以導電的，變成了導體。如果撤掉加在GS兩端的電壓，這層導電的溝道就消失了，就不可以導電了，變成了絕緣體。

特米克

答：IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

例如：我們生產電焊機就要用 還用現在的電動汽車 高鐵的機車牽引 功率變頻器就是控制電機轉速的 還有UPS電源等都要用的。

garris

樓上說的基本對。但是對于內部結構，不僅僅是加電壓產生導電溝道這么簡單，但是這么說也對，就不是很全面。應該把IGBT由mos和晶體管的等效組合說原理比較合理些。

淚珠珊瑚魚

用于中高容量功率場合，如切換式電源供應器、馬達控制與電磁爐。

電聯(lián)車或電動車輛之馬達驅動器、變頻冷氣、變頻冰箱，甚至是大瓦特輸出音響放大器的音源驅動元件。

IGBT特點在于可以大功率場合可以快速做切換動作，因此通常應用方面都配合脈沖寬度調變（Pulse Width Molation,PWM）與低通濾波器（Low-pass Filters）。

由于半導體元件技術的精進，半導體原料品質的提升，IGBT單價價格越來越便宜，其應用范圍更貼近家用產品范圍，不再只是高功率級的電力系統(tǒng)應用范疇。

如電動車輛與混合動力車的馬達驅動器便是使用IGBT元件，豐田汽車第二代混合動力車Prius II便使用50kw IGBT模組變頻器控制兩組交流馬達/發(fā)電機 以便與直流電池組作電力能量之間的轉換。

擴展資料：

IGBT的阻斷與閂鎖：

當集電極被施加一個反向電壓時， J1 就會受到反向偏壓控制，耗盡層則會向N-區(qū)擴展。因過多地降低這個層面的厚度，將無法取得一個有效的阻斷能力，所以，這個機制十分重要。

另一方面，如果過大地增加這個區(qū)域尺寸，就會連續(xù)地提高壓降。 第二點清楚地說明了NPT器件的壓降比等效(IC 和速度相同) PT 器件的壓降高的原因。

當柵極和發(fā)射極短接并在集電極端子施加一個正電壓時，P/N J3結受反向電壓控制。此時，仍然是由N漂移區(qū)中的耗盡層承受外部施加的電壓。

IGBT在集電極與發(fā)射極之間有一個寄生PNPN晶閘管，如圖1所示。在特殊條件下，這種寄生器件會導通。

這種現象會使集電極與發(fā)射極之間的電流量增加，對等效MOSFET的控制能力降低，通常還會引起器件擊穿問題。

晶閘管導通現象被稱為IGBT閂鎖，具體地說，這種缺陷的原因互不相同，與器件的狀態(tài)有密切關系。通常情況下，靜態(tài)和動態(tài)閂鎖有如下主要區(qū)別：

當晶閘管全部導通時，靜態(tài)閂鎖出現。 只在關斷時才會出現動態(tài)閂鎖。這一特殊現象嚴重地限制了安全操作區(qū) 。

為防止寄生NPN和PNP晶體管的有害現象，有必要采取以下措施： 防止NPN部分接通，分別改變布局和摻雜級別。 降低NPN和PNP晶體管的總電流增益。

此外，閂鎖電流對PNP和NPN器件的電流增益有一定的影響，因此，它與結溫的關系也非常密切；在結溫和增益提高的情況下，P基區(qū)的電阻率會升高，破壞了整體特性。

因此，器件制造商必須注意將集電極最大電流值與閂鎖電流之間保持一定的比例，通常比例為1：5。

參考資料來源：